收藏本站
NTD65N03R
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369D?01
ISSUE B
B
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
V
R
E
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES
MILLIMETERS
S
1
4
2
3
A
Z
DIM
A
B
C
D
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
MIN MAX
5.97 6.35
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
E
0.018 0.023
0.46 0.58
?T?
SEATING
PLANE
K
F
G
H
J
K
R
0.037 0.045
0.090 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.350 0.380
0.180 0.215
0.94 1.14
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
8.89 9.65
4.45 5.45
F
J
H
S
V
Z
0.025 0.040
0.035 0.050
0.155 ???
0.63 1.01
0.89 1.27
3.93 ???
G
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
3 IPAK, STRAIGHT LEAD
CASE 369AC?01
ISSUE O
B
C
NOTES:
1.. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
V
R
E
2.. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. SEATING PLANE IS ON TOP OF
DAMBAR POSITION.
4. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE
DAMBAR POSITION OR MOLD GATE.
A
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
SEATING PLANE
W
K
A
B
C
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
F
G
D
3 PL
J
H
D
E
F
G
H
J
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.043
0.090 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.69 0.88
0.46 0.58
0.94 1.09
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
0.13 (0.005) W
K
R
V
W
0.134 0.142
0.180 0.215
0.035 0.050
0.000 0.010
3.40 3.60
4.57 5.46
0.89 1.27
0.000 0.25
http://onsemi.com
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD6600N-1G MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
NTD70N03R-1G MOSFET N-CH 25V 10A IPAK
NTD78N03T4G MOSFET N-CHAN 25V 78A DPAK
NTD80N02-1G MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
NTD85N02R-001 MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
NTD95N02RT4G MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
NTDV18N06LT4G MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
NTDV20N06T4G MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD6600N 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6600N-001 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6600N-1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK
NTD6600N-1G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 12A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD6600NT4 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6600NT4G 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6N40 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
NTD6N40/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6 Amps， 400 Volts